英飞凌科技公司于 2026 年 11 月 9 日宣布，已在其位于奥地利维拉赫的半导体工厂处理出在 300 毫米碳化硅（SiC）晶圆上的功能性功率器件——这是在全规模晶圆厂环境中首次展示 300 mm SiC 器件。公司表示，该结果表明将 SiC 从较小的研究晶圆转向制造情境在可行，并将在 11 月 10–13 日于慕尼黑举办的 electronica 贸易展上展示。
技术里程碑与公司观点
英飞凌表示，一片 300 mm SiC 晶圆可提供大约 2.3 倍于 200 mm 晶圆的芯片数量，从而改善用于电动汽车牵引逆变器、车载充电器和充电基础设施的功率器件的潜在规模经济。公司补充称，该示范晶圆是在维拉赫使用现有硅制造设备加工的。
英飞凌首席执行官 Jochen Hanebeck 表示，此项工作是“进一步强化我们在电力系统领域领导地位”的一步。新闻稿明确指出，英飞凌将与客户共同规划量产时间表，同时继续推进其 200 mm SiC 的路线图。
这对市场意味着什么
SiC 器件对电动汽车效率和快速充电至关重要。可扩展的 300 mm SiC 制程可能降低单件成本并提高产出产能，这对依赖欧洲及全球功率半导体供应链的中东欧整车厂与一级供应商尤为重要。英飞凌明确强调了汽车牵引逆变器、电动汽车充电器和大型储能变换器等目标应用。
对该区域而言，有两个影响最为关键：更好的供应安全性和更低的长期零部件成本。从传统欧洲 OEM 到在匈牙利、斯洛伐克、波兰和罗马尼亚建设或采购的新进入中国厂商，中东欧的整车厂都面临 SiC 零件的激烈竞争。如果维拉赫的 300 mm SiC 路线实现产业化，将在更靠近整车装配和电力电子供应链的位置增加欧盟境内产能。
英飞凌还报告称，其在德累斯顿工厂已验证了用于 300 mm SiC 的相关晶圆分离工艺（Cold Split），并且在维拉赫另行投资约 11 亿欧元用于 300 mm 氮化镓（GaN）功率生产——这些举措共同凸显了在欧洲扩大宽禁带功率芯片规模的推动。上述公告向汽车采购团队传达了这样一个信号：这一大型 IDM 正在瞄准更多本地半导体产能。
短期内仍有注意事项：英飞凌的声明是技术示范，而非商业量产爬坡。新闻稿未给出具体的量产日期、客户名称或初始良率。整车厂和供应商将在调整采购策略前关注爬坡时间、良率和单位成本。
来源：英飞凌科技公司，Electronic Design
