A Infineon Technologies anunciou a 9 de novembro de 2026 que processou dispositivos de potência funcionais em wafers de carbeto de silício (SiC) de 300 mm na sua fábrica de semicondutores em Villach, Áustria — a primeira demonstração de dispositivos SiC de 300 mm num ambiente fabril em escala total. A empresa disse que o resultado mostra a viabilidade de transferir o SiC de wafers de investigação menores para um contexto de fabrico e que será apresentado na feira electronica em Munique, de 10 a 13 de novembro.
Marco técnico e visão da empresa
A Infineon afirmou que um wafer SiC de 300 mm oferece cerca de 2,3 vezes mais chips do que um wafer de 200 mm, melhorando as potenciais economias de escala para dispositivos de potência usados em inversores de tracção para veículos eléctricos, carregadores a bordo e infra‑estruturas de carregamento. A empresa acrescentou que o demonstrador foi processado usando equipamento de fabrico de silício existente em Villach.
Jochen Hanebeck, CEO da Infineon, descreveu o trabalho como um passo que “reforça ainda mais a nossa liderança em sistemas de potência.” O comunicado torna claro que a Infineon irá planear o timing de ramp‑up com os clientes enquanto continua o seu roteiro de SiC de 200 mm.
O que isto significa para o mercado
Os dispositivos SiC são críticos para a eficiência dos VE e para o carregamento rápido. Um processo SiC de 300 mm escalável poderia reduzir o custo por unidade e aumentar a capacidade de saída para fabricantes de automóveis e fornecedores de nível 1 em toda a Europa Central e Oriental que dependem de cadeias de fornecimento europeias e globais de semicondutores de potência. A Infineon destacou explicitamente inversores de tracção automóvel, carregadores de VE e conversores de grande armazenamento de energia entre as aplicações alvo.
Para a região, dois efeitos são os mais importantes: maior segurança de fornecimento e custos de componentes mais baixos a longo prazo. As construtoras automóveis na Europa Central e Oriental — desde OEMs europeus tradicionais a novos intervenientes chineses que constroem ou abastecem na Hungria, Eslováquia, Polónia e Roménia — enfrentam forte concorrência por peças SiC. Uma rota viável de SiC de 300 mm em Villach, se industrializada, acrescentaria capacidade baseada na UE mais próxima da montagem de veículos e dos fornecedores de electrónica de potência.
A Infineon também relatou que validou um processo relacionado de separação de wafers (Cold Split) para SiC de 300 mm no seu site de Dresden e que, separadamente, está a investir cerca de €1,1 mil milhões na produção de potência em nitreto de gálio (GaN) de 300 mm em Villach — movimentos que, em conjunto, sublinham um impulso para escalar chips de banda larga na Europa. Esses anúncios sinalizam às equipas de compras automóvel que mais capacidade local de semicondutores está a ser alvo de um grande IDM.
Persistem cautelas a curto prazo: a declaração da Infineon é uma demonstração tecnológica, não um arranque de produção em volume comercial. A empresa não revelou uma data específica de produção em massa, nomes de clientes ou rendimentos iniciais no comunicado. Fabricantes de automóveis e fornecedores irão observar o timing do ramp‑up, os rendimentos e os custos por unidade antes de alterarem estratégias de abastecimento.
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Fontes: Infineon Technologies, Electronic Design
