Infineon Technologies ha annunciato il 9 novembre 2026 di aver processato dispositivi di potenza funzionali su wafer in carburo di silicio (SiC) da 300 millimetri presso il suo stabilimento di semiconduttori di Villach, Austria — la prima dimostrazione di dispositivi SiC da 300 mm in un ambiente produttivo su scala piena. L’azienda ha dichiarato che il risultato mostra la fattibilità di trasferire il SiC da wafer di ricerca più piccoli a un contesto manifatturiero e sarà presentato alla fiera electronica di Monaco il 10–13 novembre.
Traguardo tecnico e posizione dell’azienda
Infineon ha affermato che un wafer SiC da 300 mm offre circa 2,3 volte più chip rispetto a un wafer da 200 mm, migliorando le potenziali economie di scala per i dispositivi di potenza utilizzati negli inverter di trazione per veicoli elettrici, nei caricabatterie di bordo e nelle infrastrutture di ricarica. L’azienda ha aggiunto che il dimostratore è stato processato utilizzando apparecchiature di produzione per silicio esistenti a Villach.
Jochen Hanebeck, CEO di Infineon, ha definito il lavoro un passo che “rafforza ulteriormente la nostra leadership nei sistemi di potenza”. Il comunicato stampa ha chiarito che Infineon pianificherà i tempi di ramp con i clienti continuando contestualmente la sua roadmap SiC a 200 mm.
Cosa significa per il mercato
I dispositivi SiC sono fondamentali per l’efficienza dei veicoli elettrici e la ricarica rapida. Un processo SiC scalabile a 300 mm potrebbe ridurre i costi unitari e aumentare la capacità produttiva per case automobilistiche e fornitori di primo livello nell’Europa centrale e orientale che dipendono dalle catene di fornitura europee e globali di semiconduttori di potenza. Infineon ha esplicitamente evidenziato gli inverter di trazione per l’automotive, i caricabatterie per VE e i convertitori per grandi sistemi di accumulo energetico tra le applicazioni target.
Per la regione contano principalmente due effetti: maggiore sicurezza delle forniture e costi componenti più bassi nel lungo periodo. I costruttori automobilistici in CEE — dai tradizionali OEM europei ai nuovi entranti cinesi che producono o approvvigionano in Ungheria, Slovacchia, Polonia e Romania — affrontano una forte competizione per le parti SiC. Una via SiC da 300 mm praticabile a Villach, se industrializzata, aggiungerebbe capacità con base UE più vicina all’assemblaggio dei veicoli e ai fornitori di elettronica di potenza.
Infineon ha inoltre riferito di avere validato un processo correlato di separazione del wafer (Cold Split) per SiC da 300 mm presso il sito di Dresda e di investire separatamente circa 1,1 miliardi di euro nella produzione di dispositivi di potenza in nitruro di gallio (GaN) da 300 mm a Villach — mosse che insieme sottolineano una spinta a scalare i chip a wide‑bandgap in Europa. Questi annunci segnalano ai team di approvvigionamento automobilistici che una grande IDM sta indirizzando maggior capacità locale di semiconduttori.
Permangono però avvertenze a breve termine: la dichiarazione di Infineon è una dimostrazione tecnologica, non un avvio a volume commerciale. L’azienda non ha fornito nel comunicato una data specifica per la produzione di massa, nomi di clienti o rese iniziali. Case automobilistiche e fornitori osserveranno tempi di ramp, rese e costi unitari prima di modificare le strategie di approvvigionamento.
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Fonti: Infineon Technologies, Electronic Design
