Infineon Technologies anunció el 9 de noviembre de 2026 que ha procesado dispositivos de potencia funcionales en obleas de carburo de silicio (SiC) de 300 milímetros en su planta de semiconductores de Villach, Austria —la primera demostración de dispositivos SiC de 300 mm en un entorno de fábrica a escala completa. La compañía indicó que el resultado demuestra la viabilidad de trasladar el SiC desde obleas de investigación más pequeñas a un contexto de fabricación y que se presentará en la feria electronica en Múnich del 10 al 13 de noviembre.
Hito técnico y visión de la empresa
Infineon afirmó que una oblea de SiC de 300 mm ofrece aproximadamente 2,3 veces más chips que una oblea de 200 mm, mejorando las posibles economías de escala para dispositivos de potencia utilizados en inversores de tracción de vehículos eléctricos, cargadores a bordo e infraestructura de carga. La compañía añadió que el demostrador se procesó utilizando el equipo de fabricación de silicio existente en Villach.
Jochen Hanebeck, consejero delegado de Infineon, calificó el trabajo como un paso que “refuerza aún más nuestro liderazgo en sistemas de potencia”. El comunicado de prensa dejó claro que Infineon planificará los plazos de ampliación junto con los clientes mientras continúa con su hoja de ruta de SiC de 200 mm.
Qué significa esto para el mercado
Los dispositivos SiC son críticos para la eficiencia de los VE y la carga rápida. Un proceso de SiC escalable a 300 mm podría reducir los costes unitarios y aumentar la capacidad de producción para los fabricantes de automóviles y proveedores de primer nivel en Europa Central y del Este que dependen de las cadenas de suministro europeas y mundiales de semiconductores de potencia. Infineon destacó explícitamente los inversores de tracción automotriz, los cargadores para VE y los grandes convertidores de almacenamiento de energía entre las aplicaciones objetivo.
Para la región, dos efectos importan más: mayor seguridad de suministro y menores costes de componentes a largo plazo. Los fabricantes de automóviles en Europa Central y del Este —desde los OEM europeos tradicionales hasta los nuevos entrantes chinos que fabrican o adquieren en Hungría, Eslovaquia, Polonia y Rumanía— enfrentan una competencia intensa por las piezas SiC. Una vía viable de SiC de 300 mm en Villach, si se industrializa, añadiría capacidad con base en la UE más cerca del ensamblaje de vehículos y de los proveedores de electrónica de potencia.
Infineon también informó que ha validado un proceso relacionado de separación de obleas (Cold Split) para SiC de 300 mm en su sitio de Dresden y que, por separado, está invirtiendo aproximadamente 1.100 millones de euros en producción de potencia de nitruro de galio (GaN) de 300 mm en Villach —movimientos que, juntos, subrayan un impulso para escalar chips de banda ancha en Europa. Esos anuncios indican a los equipos de compras automotrices que un gran IDM está orientando más capacidad de semiconductores local.
Permanecen advertencias a corto plazo: la declaración de Infineon es una demostración tecnológica, no una ampliación a volumen comercial. La compañía no dio una fecha específica de producción en masa, nombres de clientes ni rendimientos iniciales en el comunicado de prensa. Los fabricantes de automóviles y los proveedores vigilarán los plazos de escalado, los rendimientos y los costes unitarios antes de alterar sus estrategias de aprovisionamiento.
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Fuentes: Infineon Technologies, Electronic Design
