Infineon Technologies a anunţat pe 9 noiembrie 2026 că a procesat dispozitive funcţionale de putere pe plachete de carbură de siliciu (SiC) de 300 mm la fabrica sa de semiconductori din Villach, Austria — prima demonstraţie a dispozitivelor SiC pe 300 mm într‑un mediu de fabricaţie la scară completă. Compania a declarat că rezultatul arată fezabilitatea mutării SiC de la plachete de cercetare mai mici într‑un context de producţie şi va fi prezentat la târgul electronica din München, între 10–13 noiembrie.

Repere tehnice şi poziţia companiei

Infineon a afirmat că o plachetă SiC de 300 mm oferă aproximativ de 2,3 ori mai multe cipuri decât o plachetă de 200 mm, îmbunătăţind potenţial economiile de scară pentru dispozitivele de putere utilizate în invertoare de tracţiune pentru vehicule electrice, încărcătoare la bord şi infrastructura de încărcare. Compania a adăugat că demonstratorul a fost procesat utilizând echipamentele de fabricaţie existente pentru siliciu de la Villach.

Jochen Hanebeck, directorul general al Infineon, a numit lucrarea un pas care „întăreşte în continuare leadership‑ul nostru în sisteme de putere.” Comunicatul de presă a clarificat că Infineon va planifica calendarul de rampare împreună cu clienţii, continuând în paralel foaia de parcurs pentru SiC pe 200 mm.

Ce înseamnă asta pentru piaţă

Dispozitivele SiC sunt cruciale pentru eficienţa vehiculelor electrice şi încărcarea rapidă. Un proces scalabil pe SiC de 300 mm ar putea reduce costul pe unitate şi creşte capacitatea de producţie pentru constructorii auto şi furnizorii tier‑1 din Europa Centrală şi de Est care depind de lanţurile de aprovizionare europene şi globale de semiconductori de putere. Infineon a evidenţiat în mod explicit invertoarele de tracţiune auto, încărcătoarele pentru VE şi convertoarele pentru stocare mare de energie ca aplicaţii vizate.

Pentru regiune, două efecte contează cel mai mult: o securitate a aprovizionării mai bună şi costuri pe termen lung mai reduse pentru componente. Constructorii auto din CEE — de la producători europeni consacraţi până la noii jucători chinezi care produc sau achiziţionează în Ungaria, Slovacia, Polonia şi România — se confruntă cu o competiţie strânsă pentru piese SiC. O rută viabilă pe 300 mm SiC la Villach, dacă va fi industrializată, ar adăuga capacitate bazată în UE mai aproape de asamblarea vehiculelor şi furnizorii de electronice de putere.

Infineon a mai raportat că a testat un proces înrudit de separare a plachetelor (Cold Split) pentru SiC de 300 mm la situl său din Dresden şi, separat, investeşte aproximativ 1,1 miliarde € în producţia de dispozitive de putere pe nitruru de galiu (GaN) de 300 mm la Villach — mişcări care, împreună, subliniază o strategie de scalare a cipurilor de putere wide‑bandgap în Europa. Aceste anunţuri semnalează echipelor de achiziţii auto că o capacitate locală mai mare de semiconductori este vizată de un IDM major.

Rămân avertismente pe termen scurt: declaraţia Infineon este o demonstraţie tehnologică, nu o rampare la volum comercial. Compania nu a dat o dată specifică pentru producţia în masă, nume de clienţi sau randamente iniţiale în comunicatul de presă. Constructorii auto şi furnizorii vor urmări calendarul de rampare, randamentele şi costurile pe unitate înainte de a‑şi modifica strategiile de aprovizionare.

WorldTrader24 B2B-Fahrzeugmarkt für Händler →

Surse: Infineon Technologies, Electronic Design