Infineon Technologies je 9. studenog 2026. objavio da je obradio funkcionalne energetske uređaje na 300‑milimetarskim pločama od silicij‑karbida (SiC) u svom pogonu za poluvodiče u Villachu u Austriji — prvu demonstraciju 300 mm SiC uređaja u okolišu pune proizvodne tvornice. Tvrtka je navela da rezultat pokazuje izvedivost prijelaza SiC‑a sa manjih istraživačkih ploča u proizvodni kontekst te će se predstaviti na sajmu electronica u Münchenu od 10. do 13. studenog.
Tehnički iskorak i pogled tvrtke
Infineon je rekao da 300 mm SiC ploča nudi oko 2,3 puta više čipova nego 200 mm ploča, čime se poboljšavaju potencijalne ekonomije razmjera za energetske uređaje koji se koriste u pretvaračima za pogon električnih vozila, punjačima ugrađenima u vozilo i infrastrukturi za punjenje. Tvrtka je dodala da je demonstrator obrađen koristeći postojeću opremu za proizvodnju na siliciju u Villachu.
Jochen Hanebeck, izvršni direktor Infineona, nazvao je rad korakom koji „dalje jača naše vodstvo u energetskim sustavima.” Priopćenje za javnost jasno je navelo da će Infineon planirati vrijeme rampanja zajedno s kupcima, istovremeno nastavljajući svoj putokaz za 200 mm SiC.
Što to znači za tržište
SiC uređaji ključni su za učinkovitost EV‑a i brzo punjenje. Skalabilni 300 mm SiC proces mogao bi smanjiti jedinicne troškove i povećati proizvodni kapacitet za proizvođače automobila i dobavljače prvog reda u cijeloj Srednjoj i Istočnoj Europi koji ovise o europskim i globalnim lancima opskrbe poluvodičima za snagu. Infineon je izričito istaknuo automobilske pretvarače za pogon, EV punjače i velike pretvarače za pohranu energije među ciljnim primjenama.
Za regiju su najvažnija dva učinka: bolja sigurnost opskrbe i niži dugoročni troškovi komponenti. Proizvođači automobila u SIE — od tradicionalnih europskih OEM‑ova do novih kineskih ulagača koji grade ili nabavljaju u Mađarskoj, Slovačkoj, Poljskoj i Rumunjskoj — suočeni su s oštrom konkurencijom za SiC dijelove. Izvediv 300 mm SiC put u Villachu, ako se industrijalizira, dodao bi kapacitete unutar EU bliže montaži vozila i dobavljačima snage‑elektronike.
Infineon je također izvijestio da je dokazao povezani proces razdvajanja ploča (Cold Split) za 300 mm SiC u svojoj lokaciji u Dresdenu te da zasebno ulaže oko 1,1 milijarde eura u 300 mm proizvodnju napajanja na galij‑nitridu (GaN) u Villachu — potezi koji zajedno naglašavaju poticanje skaliranja širokopojasnih (wide‑bandgap) energetskih čipova u Europi. Ta priopćenja signaliziraju timovima za nabavu u automobilskoj industriji da glavna IDM tvrtka cilja na veću lokalnu proizvodnu sposobnost poluvodiča.
U kratkom roku postoje i ograničenja: Infineonova izjava je tehnološka demonstracija, a ne rampanje u komercijalnim količinama. Tvrtka u priopćenju nije navela točan datum masovne proizvodnje, imena kupaca ili početne prinose. Proizvođači automobila i dobavljači pratit će vrijeme rampanja, prinose i jedinične troškove prije nego što promijene strategije nabave.
WorldTrader24 B2B-Fahrzeugmarkt für Händler →
Izvori: Infineon Technologies, Electronic Design
