Infineon Technologies gab am 9. November 2026 bekannt, dass im Halbleiterwerk Villach, Österreich, funktionsfähige Leistungsbauelemente auf 300‑Millimeter‑Siliziumkarbid (SiC)-Wafern verarbeitet wurden – die erste Demonstration von 300‑mm‑SiC‑Bauelementen in einer Produktionsumgebung einer vollwertigen Fertigungsanlage. Das Unternehmen erklärte, das Ergebnis zeige die Machbarkeit, SiC von kleineren Forschungswafern in einen Fertigungskontext zu überführen, und werde auf der Messe electronica in München vom 10. bis 13. November präsentiert.

Technischer Meilenstein und Unternehmenssicht

Infineon erklärte, ein 300‑mm‑SiC‑Wafer biete etwa 2,3‑mal mehr Chips als ein 200‑mm‑Wafer und verbessere damit potenzielle Skaleneffekte für Leistungsbauelemente, die in Traktionswechselrichtern von Elektrofahrzeugen, On‑Board‑Ladegeräten und Ladeinfrastruktur eingesetzt werden. Das Unternehmen fügte hinzu, dass der Demonstrator mit vorhandener Silizium‑Fertigungsausrüstung in Villach verarbeitet wurde.

Jochen Hanebeck, CEO von Infineon, nannte die Arbeit einen Schritt, der „unsere Führungsposition im Bereich Leistungssysteme weiter stärkt.“ Die Pressemitteilung machte deutlich, dass Infineon die Anlaufzeiten in Abstimmung mit Kunden planen werde, während das 200‑mm‑SiC‑Roadmap‑Programm fortgeführt werde.

Was das für den Markt bedeutet

SiC‑Bauelemente sind entscheidend für die Effizienz von Elektrofahrzeugen und für Schnellladefunktionen. Ein skalierbarer 300‑mm‑SiC‑Prozess könnte die Stückkosten senken und die Produktionskapazität für Automobilhersteller und Tier‑1‑Zulieferer in Mittel‑ und Osteuropa erhöhen, die auf europäische und globale Versorgungsketten für Leistungs‑Halbleiter angewiesen sind. Infineon hob ausdrücklich Traktionswechselrichter für die Automobilindustrie, EV‑Ladegeräte und große Energiespeicherwandler als Zielanwendungen hervor.

Für die Region sind zwei Effekte am wichtigsten: bessere Versorgungssicherheit und niedrigere langfristige Komponentenpreise. Automobilhersteller in CEE – von etablierten europäischen OEMs bis zu neuen chinesischen Wettbewerbern, die in Ungarn, der Slowakei, Polen und Rumänien bauen oder beziehen – stehen im Wettbewerb um SiC‑Teile. Ein gangbarer 300‑mm‑SiC‑Weg in Villach würde, falls industrialisiert, in der EU ansässige Kapazitäten näher an Fahrzeugmontage und Leistungs‑Elektronik‑Zulieferer bringen.

Infineon berichtete außerdem, dass ein damit zusammenhängender Wafer‑Trennprozess (Cold Split) für 300 mm SiC am Standort Dresden erprobt wurde und dass das Unternehmen separat etwa 1,1 Milliarden Euro in die 300‑mm‑Galliumnitrid (GaN)‑Leistungsproduktion in Villach investiert – Schritte, die gemeinsam den Vorstoß zur Skalierung von Breitband‑Halbleitern in Europa unterstreichen. Diese Ankündigungen signalisieren den Beschaffungsteams der Automobilindustrie, dass ein großer IDM verstärkt lokale Halbleiterkapazitäten anstrebt.

Kurzfristig bleiben jedoch Vorbehalte: Die Aussage von Infineon ist eine technologische Demonstration und kein Anlauf für kommerzielle Volumina. Das Unternehmen nannte in der Pressemitteilung kein konkretes Datum für die Serienproduktion, keine Kundennamen und keine anfänglichen Ausbeuten. Automobilhersteller und Zulieferer werden Anlaufzeiten, Ausbeuten und Stückkosten beobachten, bevor sie Beschaffungsstrategien ändern.

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Quellen: Infineon Technologies, Electronic Design