Infineon Technologies a annoncé le 9 novembre 2026 qu’elle avait traité des dispositifs de puissance fonctionnels sur des plaquettes de carbure de silicium (SiC) de 300 millimètres dans son usine de semi‑conducteurs de Villach, en Autriche — la première démonstration de dispositifs SiC 300 mm dans un environnement d’atelier de production à grande échelle. La société a déclaré que le résultat montre la faisabilité du passage du SiC depuis de plus petites plaquettes de recherche vers un contexte de fabrication et sera présenté au salon electronica à Munich du 10 au 13 novembre.

Jalon technique et point de vue de l’entreprise

Infineon a indiqué qu’une plaquette SiC 300 mm offre environ 2,3 fois plus de puces qu’une plaquette 200 mm, améliorant les économies d’échelle potentielles pour les dispositifs de puissance utilisés dans les onduleurs de traction des véhicules électriques, les chargeurs embarqués et l’infrastructure de recharge. La société a ajouté que le démonstrateur a été traité en utilisant l’équipement de fabrication de silicium existant à Villach.

Jochen Hanebeck, directeur général d’Infineon, a qualifié ce travail d’étape qui « renforce davantage notre leadership dans les systèmes de puissance ». Le communiqué de presse précisait qu’Infineon planifiera le calendrier de montée en cadence avec ses clients tout en poursuivant sa feuille de route SiC 200 mm.

Ce que cela signifie pour le marché

Les dispositifs SiC sont essentiels à l’efficacité des véhicules électriques et à la recharge rapide. Un procédé SiC 300 mm évolutif pourrait réduire les coûts unitaires et augmenter la capacité de production pour les constructeurs automobiles et les fournisseurs de rang 1 d’Europe centrale et orientale qui dépendent des chaînes d’approvisionnement européennes et mondiales en semi‑conducteurs de puissance. Infineon a explicitement mis en avant les onduleurs de traction automobiles, les chargeurs de VE et les convertisseurs de stockage d’énergie de grande taille parmi les applications ciblées.

Pour la région, deux effets sont les plus importants : une meilleure sécurité d’approvisionnement et des coûts composants plus faibles à long terme. Les constructeurs automobiles en Europe centrale et orientale — des constructeurs européens historiques aux nouveaux entrants chinois fabriquant ou s’approvisionnant en Hongrie, Slovaquie, Pologne et Roumanie — sont confrontés à une forte concurrence pour les pièces SiC. Une voie SiC 300 mm viable à Villach, si elle est industrialisée, ajouterait une capacité basée dans l’UE plus proche des sites d’assemblage de véhicules et des fournisseurs d’électronique de puissance.

Infineon a également indiqué avoir validé un procédé connexe de séparation de plaquettes (Cold Split) pour le SiC 300 mm sur son site de Dresde et investit séparément environ 1,1 milliard d’euros dans la production de puissance en nitrure de gallium (GaN) 300 mm à Villach — des mouvements qui soulignent ensemble une volonté de montée en volume des puces de puissance à large bande interdite en Europe. Ces annonces signalent aux équipes d’achats automobiles que davantage de capacité locale de semi‑conducteurs est visée par un IDM majeur.

Des mises en garde à court terme demeurent : la déclaration d’Infineon est une démonstration technologique, pas une montée en cadence en volume commercial. La société n’a pas donné de date précise de production de masse, de noms de clients ni de rendements initiaux dans le communiqué. Les constructeurs et fournisseurs surveilleront le calendrier de montée en cadence, les rendements et les coûts unitaires avant de modifier leurs stratégies d’approvisionnement.

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Sources : Infineon Technologies, Electronic Design