Infineon Technologies kondigde op 9 november 2026 aan dat het functionele vermogentoestellen heeft verwerkt op 300‑millimeter siliciumcarbide (SiC)‑wafers in zijn halfgeleiderfabriek in Villach, Oostenrijk — de eerste demonstratie van 300 mm SiC‑toestellen in een volledige fab‑omgeving. Het bedrijf zei dat het resultaat de haalbaarheid aantoont van het verplaatsen van SiC van kleinere onderzoekswafers naar een productiecontext en dat het op de electronica‑vakbeurs in München op 10–13 november zal worden gepresenteerd.
Technische mijlpaal en visie van het bedrijf
Infineon zei dat een 300 mm SiC‑wafer ongeveer 2,3 keer meer chips biedt dan een 200 mm‑wafer, waardoor de potentiële schaalvoordelen voor vermogentoestellen die worden gebruikt in tractieomvormers voor elektrische voertuigen, boordladers en laadinfrastructuur verbeteren. Het bedrijf voegde toe dat de demonstrator is verwerkt met behulp van bestaande siliciumproductie‑apparatuur in Villach.
Jochen Hanebeck, CEO van Infineon, noemde het werk een stap die “onze leiderspositie in vermogenssystemen verder versterkt.” Het persbericht maakte duidelijk dat Infineon de timing van opschaling met klanten zal plannen terwijl het zijn 200 mm SiC‑routekaart blijft volgen.
Wat dit voor de markt betekent
SiC‑toestellen zijn van cruciaal belang voor de efficiëntie van EV’s en snel laden. Een schaalbaar 300 mm SiC‑proces zou de eenheidskosten kunnen verlagen en de productiecapaciteit kunnen verhogen voor autofabrikanten en tier‑1‑leveranciers in Centraal en Oost‑Europa die afhankelijk zijn van Europese en wereldwijde toeleveringsketens voor vermogens‑halfgeleiders. Infineon benadrukte expliciet tractieomvormers voor de automobielindustrie, EV‑laders en grote energieopslagsystemen als doeltoepassingen.
Voor de regio zijn twee effecten het belangrijkst: betere leveringszekerheid en lagere langetermijncomponentkosten. Autofabrikanten in CEE — van gevestigde Europese OEM’s tot nieuwe Chinese spelers die in Hongarije, Slowakije, Polen en Roemenië produceren of sourcing hebben — staan onder strakke concurrentie om SiC‑onderdelen. Een levensvatbare 300 mm SiC‑route in Villach, indien geïndustrialiseerd, zou in de EU gebaseerde capaciteit dichter bij voertuigassemblage en vermogenselektronica‑leveranciers toevoegen.
Infineon meldde ook dat het een verwant wafer‑scheidingsproces (Cold Split) voor 300 mm SiC op zijn locatie in Dresden heeft getest en dat het afzonderlijk ongeveer €1,1 miljard investeert in 300 mm gallium‑nitride (GaN) vermogensproductie in Villach — stappen die samen een push onderstrepen om wide‑bandgap vermogenchips in Europa op te schalen. Die aankondigingen signaleren aan inkoopteams van de autoindustrie dat meer lokale halfgeleidercapaciteit door een grote IDM wordt nagestreefd.
Korte‑termijnvoorbehouden blijven bestaan: de verklaring van Infineon is een technologische demonstratie, geen opschaling naar commerciële volumecapaciteit. Het bedrijf gaf in het persbericht geen specifieke datum voor massaproductie, geen klantnamen en geen initiële opbrengsten. Autofabrikanten en leveranciers zullen timing van opschaling, opbrengsten en eenheidskosten afwachten voordat zij hun inkoopstrategieën aanpassen.
WorldTrader24 B2B-Fahrzeugmarkt voor Händlern →
Bronnen: Infineon Technologies, Electronic Design
