Европейская комиссия одобрила австрийскую государственную помощь в размере €319 миллионов в поддержку планируемого расширения Infineon в Виллахе, Австрия. По словам компании, это решение обеспечит приблизительно €1,1 млрд инвестиций в строительство первой в Европе высокообъёмной линии силовых полупроводников на основе нитрида галлия (GaN) на 300‑миллиметровых подложках. В сообщении Infineon и последующих публикациях указанная дата объявления — 27 октября 2026 года; по заявлению Infineon, плановый запуск производства — до конца 2027 года.
Что было одобрено и почему это важно
Проект Infineon «Empowering Fab» предусматривает модернизацию существующих мощностей чистых помещений в Виллахе и перевод производства GaN‑силовых приборов с обработки 200 мм подложек на 300 мм, что, по оценкам компании, даёт примерно в 2,3 раза больше кристаллов на подложку и делает GaN более конкурентоспособным по себестоимости при масштабировании. Компания и многочисленные публикации в прессе описывают объект как первую в мире высокообъёмную линию силовых полупроводников на GaN на 300 мм и указывают, что расширение нацелено на рынки, включая поставки для центров обработки данных с AI, энергетическую инфраструктуру и электрическую мобильность. В пресс‑релизе Infineon и в освещении решения Комиссии горизонт инвестиций указан до 2034 года, а первоначальная цель запуска производства — конец 2027 года.
Разрешение Комиссии по государственной помощи отмечает, что грант заполняет документально подтверждённый пробел в финансировании и был одобрен в соответствии с Законом ЕС о чипах и правилами государственной помощи; неконфиденциальная версия решения будет опубликована в реестре государственной помощи ЕС после урегулирования вопросов конфиденциальности. Новостные агентства, сообщавшие об одобрении, подчёркивали, что разрешение ЕС не означает фактической выплаты средств — Австрии необходимо формализовать национальное финансирование и выполнить условия, установленные Брюсселем.
Что это означает для рынка
Для автомобильного сектора Центральной и Восточной Европы решение по Виллаху имеет стратегическое значение. GaN‑силовые полупроводники используются в бортовых заряжающих устройствах, быстрозарядных DC‑зарядках, инверторах и другом оборудовании для преобразования энергии, применяемом в батарейных электромобилях и зарядной инфраструктуре — областях, где спрос растёт вместе с распространением электромобилей. Надёжное европейское производство GaN в больших объёмах может сократить сроки поставок, облегчить дефицит компонентов и снизить затраты на силовую электронику в среднесрочной перспективе, повысив устойчивость автомобильных цепочек поставок, которые сейчас сильно зависят от азиатских поставщиков. Infineon прямо связывает инвестицию с электромобильностью и другими конечными рынками.
